1、范圍
1.1 本工藝適應于防爆電器產(chǎn)品中本安用鍺、 硅半導體二極管、三極管、集成電路、電容器、電阻器元件的老化篩選。
1.2 本工藝適用于進廠檢驗合格的元件進行老化篩選。
2、引用標準
2.1  GB4032半導體分立器件
2.2  GB4936. 1半導體分立器件總規(guī)范

2 3  GB4938半導體分立器件接收和可靠性

3、設備、儀器、工具
高低溫試驗箱、直流穩(wěn)壓電源、萬用表、示波器
4、高溫儲存
4.1目的：使具有潛在缺陷的器件（如污染、引線不良、氧化缺陷等）提前失效，加以清除。
4.2儲存溫度
a)鍺二、三極管： 85±2℃
b)硅二、三極管： 85±3℃
c)集成電路：  85±2℃
4.3儲存時間  24h
4.4試驗方法
4.4.1初試
4.4.1.1標準測試條件
a)環(huán)境溫度： 25±5℃
b)相對濕度： 45%~75%
c)大氣壓力： 86~ 106kpa
d)4.4.1.2技術要求
按器件電參數(shù)規(guī)范測試
a）二極管
VBR：擊穿電壓。
IK：  反向電流。
b） 三極管
ICBO：集電極-基極反向擊穿電流。
v（ER）CEO：集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓。
VCE （sat）： 集電極一反向飽和壓降。
IC-VCE：共射極輸出特性曲線。
HFE：共射極靜態(tài)電流放大系數(shù)。
C）穩(wěn)壓二極管
UZ：穩(wěn)定電壓
IZ：穩(wěn)定電流
d）電阻器：選擇篩選的電阻器測量阻值的誤差范圍不得超過±5%。
e）集成電路：選擇能預示器件早期失效的參數(shù)，作為篩選參數(shù)。
注：集成電路種類、規(guī)格繁多，差異較大，根據(jù)實際應用情況選測主要參數(shù)。
f）電容器：電解電容量允許誤差為±20%，無極電容電容量允許誤差為±5%。
4. 4.2試驗步驟
4. 4.2.1將初測合格的器件裝入專用金屬盒，放入高低溫試驗箱，把溫度調(diào)到規(guī)定值.
4. 4.4.2溫度達到規(guī)定值時開始計算時間，48h后取出器件，并在室溫下恢復應不少于1h.
4.4.2.3重復
4.4..1條的測試步驟.
5、常溫靜態(tài)功率老化
5.1目的
在較長時間內(nèi)對器件連續(xù)施加一定的電壓力，通過電一熱應力的綜合作用，來加速器件內(nèi)部的物理化學反映的過程。促使器件內(nèi)部各種潛在的缺陷及早暴露，以剔除早期失效的器件.
5.2試驗要求
5.2.1二極管
5.2.1.1檢波、開關、整流二極管的正向電功率的老化，應取額定正向電流的1.5倍，老化時間為48h。
5.2.1.2穩(wěn)壓二極管的反向電功率老化，應以其額定功率的2倍進行，老化時間為48h
6、注意事項
6.1常溫靜態(tài)功率老化過程中，應隨時監(jiān)測電壓、電流數(shù)值，以保證老化條件的穩(wěn)定
6.2在初測及復測時，要防止因失效的半導體器件引起儀表過載。
6.3試驗時，如果熱源溫度失控，就可能破壞或損傷器件，因此，熱源應裝備重復的過熱控制來限制溫度。
7、驗收規(guī)則
7.1由質(zhì)量部接到檢驗通知單后進行。首先檢查元件是否為本公司的合格供方，出廠產(chǎn)品是否有合格證明等。
7.2電解電容的出廠期不得超過一年。
7.3 所有元件抽樣檢查，抽樣率5%，初測時被抽取的樣品總數(shù)經(jīng)檢測合格率低于98%的，則判定該批總體不合格。否則判定該批總體為合格品。經(jīng)電熱老化后的樣品總數(shù)檢驗合格率低于98%的，則判定該批總體不合格，否則判定該批總體為合格品。
7.4對檢測不合格的電子元件，開出檢驗不合格單，及時反饋有關部門。
7. 5檢驗記錄應認真填寫。